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产品分类 / PRODUCT
半导体曝光设备是半导体制造过程中用于在硅片上绘制电路图案的设备。强大的紫外光透过光掩模,作为电路图案的原型,电路图案被转移到涂有光刻胶的硅晶片上。近年来,一些设备使用波长为 13 nm 的激光(称为 EUV)来微型化精细电路图案。由于定位等要求高的精度,因此设备价格昂贵。
半导体曝光设备用于包含MOS(金属氧化物半导体)和FET(场效应晶体管)等半导体元件的IC(集成电路)制造过程中的曝光工序。
在IC制造过程中,在硅晶片上依次重复光刻和蚀刻循环,并且在将氧化硅、金属等层层压并加工成预定图案的过程中,半导体元件所需的特性被加工为执行得如此,它已经 .例如,在n型MOS(NMOS)的情况下,在p型硅基板的栅极区域上形成氧化硅膜和栅极金属,并且将高浓度的杂质离子注入到漏极和源极中。这形成了n型(n+型)MOS。这一系列工序中的光刻工序和蚀刻工序如图所示地构成(成膜工序S1~抗蚀剂剥离工序S6)。
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